【摘要】:
激光切割工艺利用调焦后的激光对工件表面或内部进行加工,并将其分离。由于激光切割是一种非接触加工工艺,避免了工具磨损和机械应力的影响,大大提高了SiC晶圆切割表面的粗糙度和加工精度。激光切割还可以减少后续抛光切削工艺的需求,降低材料损伤并
晶圆的种类包括硅晶圆、LED晶圆和碳化硅(SiC)晶圆等。随着社会的不断发展,SiC晶圆作为一种新型半导体设备,在电动汽车、太阳能逆变器、雷达系统等高温、高压、高频领域得到了广泛的应用。作为一种宽带材料,SiC具有宽带隙、高机械强度和高传热性能,但它也是一种非常硬脆的材料,加工难度较大,尤其是在后续的工艺过程中。晶圆的切割是半导体功率设备制造中非常重要的一部分,切割方法和切割质量直接影响晶圆的厚度、表面粗糙度、尺寸和生产成本,对功率器件的制造产生重要影响。目前,SiC碳化硅晶圆的切割工艺主要分为金刚石刀片切割和激光切割两种。下面将对SiC晶圆的激光切割工艺进行详细介绍。
激光切割工艺利用调焦后的激光对工件表面或内部进行加工,并将其分离。由于激光切割是一种非接触加工工艺,避免了工具磨损和机械应力的影响,大大提高了SiC晶圆切割表面的粗糙度和加工精度。激光切割还可以减少后续抛光切削工艺的需求,降低材料损伤并降低成本,减少传统磨削抛光工艺带来的环境污染。激光切割技术早已应用于碳化硅切割、硅晶锭切割和石英材料切割(主要用于滤色片领域激光切割和裂片工艺)等领域。
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